功能描述：MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8

制造商：diodes incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：476nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：12826pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.3W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PowerDI5060-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：1

DMP2305U

DMP2305U-7

DMP2305U-7/23PZ7

DMP2305U-7-F

DMP2305U-7-F/23P

DMP2305UVT-7

DMP2540UCB9-7

DMP25H18DLFDE-13

DMP25H18DLFDE-7

DMP26M7UFG-13